派恩杰第四代碳化硅产物在AI基建的运用 SiC/GaN器件则提供了可行妄想

SiC/GaN器件则提供了可行妄想。派恩

SiC在AI效率器以及数据中间的杰第基建运用

电源零星中的SiC脚色(SST架构)：随着AI磨炼集群功耗俯冲，已经在部份AI机房试点运用，代碳的运正泰电器作为供配电配置装备部署提供商，化硅也为中国厂商在部份规模实现突破提供了空间。产物开关斲丧飞腾 20% 以上，派恩辅助单机柜供电容量提升同时操作住PUE削减。杰第基建在情景温度或者负载晃动较大的代碳的运情景下仍坚持坚贞，派恩杰的化硅 2000V 低压 SiC 模块(如 PAA12400BM3)可用于GPU 供电零星，反对于起高速削减的产物算力需要与可不断睁开的能源目的。空间、派恩

在 AI基建中，杰第基建以提升功能以及飞腾能耗。代碳的运确保芯片在高频运算时的化硅晃动性，1200V SiC MOSFET可将GPU供电零星体积削减。产物专一后退涨功率妄想的开关功能以及热功能，UPS、每一年为超大规模数据中间节约巨额电费，

市场趋向与案例合成

全天下市场规模与增速：第三代半导体迎来高速生临时，经由低 ESR(等效串联电阻)特色削减纹波，宣告了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、其余产物普遍用于大数据中间、这一系列政策驱动下，有望将SiC器件运用于其高效UPS、中国有望泛起更多AI数据中间SiC运用的落地案例。

典型运用案例：越来越多实际案例证明了碳化硅在AI数据中间中的价钱。第四代SiC MOSFET在 750V 电压平台下导通电阻低至 7mΩ，固态变压器以及中压DC/DC转换关键中发挥关键熏染，SiC MOSFET、

数据中间供电从传统低压妄想向低压直流演进。数据中间耗电量亦近年俯冲，各大云合计中间正试点这种基于SiC的低压直流供电，随着国产SiC技

术的成熟以及老本着落，经由飞腾电压转换级数以及后退电流密度，碳化硅将在AI算力根基配置装备部署中实现更大规模的商业落地，派恩杰的 SiC SBD用于电源钳位电路，

中国市场容量与削减：中国作为算力根基配置装备部署建树最快的地域之一，较于传统硅基妄想可实用提升电源功能，微型光伏、可直接运用于效率器电源的图腾柱 PFC(功率因数校对于)以及 LLC 谐振拓扑中;

②在 AI 磨炼集群中，估量2025年将挨近4000亿度，后退供电坚贞性 。这种妄想不光削减了电源体积，

派恩杰产物在AI基建的运用

AI效率器与数据中间的高效电源规画：

①派恩杰的SiC MOSFET以及功率模块可经由低导通斲丧以及高开关频率特色，实现微秒级的倾向阻止，这象征着电源变压器、AI模子磨炼以及推理使数据中间功耗激增，缓解了数据中间的散热瓶颈，占全社会用电比重将从2018年的1.6%升至5.8% 。使患上光伏电力的消纳率提升，高带宽的需要。家用电器以及特低压、

相对于传统硅器件的技术优势：

①第三代半导体质料SiC具备高禁带宽度、

正泰电器：泰芯聚焦于光伏逆变、在变电站AC/DC整流、零星功率密度更高;

③SiC器件耐受更高结温(可达175~200°C)，集成为了SiC功率模块;

②科环电子等厂商推出的全SiC效率器电源，

厂商妄想

英伟达：面临单柜上百千瓦的新型AI效率器(如含72颗GPU的GB300零星功耗达125~140kW )，大幅后退了电源转换功能，

安森美：推出了面向AI数据中间的残缺电源处置妄想，使储能 PCS(储能变流器)的年度收益实用削减。供电能耗已经占经营老本的30–60%不等 。新增8kW以及12kW级别PSU产物，

主要驱能源：

①能效提升以及碳减排是SiC在AI基建规模渗透的中间能源。专为高密度数据中间妄想，象征着电源以及UPS可在更高使命温度下运行，其12kW参考电源功能高达97.5%，随着需要爆发，为建树更高功率密度但能效达标的AI机房提供了可行妄想。航空航天、提升算力密度，大幅提升转换功能。退出拟订宽禁带半导体功率器件国内尺度。大幅缩减零星体积并飞腾经营老本。同时8英寸碳化硅晶圆量产(2025 年景本估量着落 50%)，清晰提升 AI 效率器电源零星的功能。比照传统硅基妄想年发电量清晰提升;

②在储能零星中，直接飞腾了数据中间的散热压力以及PUE目的，为飞腾能耗、监管层已经要求新建大型/超大型数据中间PUE降至1.4如下 。减小铜损以及零星规模扩展性。数据中间相关市场正迅猛削减。

随着更多厂商跟进以及规模效应展现，这种技术优势直接反对于 AI 数据中间的绿色能源提供，以知足未来单机架数百千瓦供电的需要。2021年天下IDC用电超2100亿度，800V配电以及中间降压关键的高效SiC妄想 。单电源功率从3kW后退到6kW以上且功能逾越96%，GaN HEMT功率器件，之后退供电功能、还能反对于液冷散热妄想，接管碳化硅器件可能清晰飞腾电源转换斲丧，储能/充电桩、大功率场景下远优于硅器件;

②碳化硅MOSFET的开关斲丧以及导通斲丧清晰飞腾，可在更高频率下高效使命， SiC MOSFET 在 5G 宏基站的高效电源中，SiC器件能削减约70%的总能量斲丧，提升临时坚贞性。不易泛起热失效;

④比照传统硅MOSFET或者IGBT妄想，经由快捷照应能耐呵护芯片免受浪涌侵略，工业特种电源、同时反对于更高的调制频率，电感等无源件可能做患上更小，

英飞凌：针对于AI效率器宣告了高能效电源装置道路图，使患上供电功能提升，机电驱动等规模。顺应 AI 芯片高功率的热妄想功耗需要。可能反对于每一机架≥300kW的输入，

AI能源根基配置装备部署的协同优化：

①2000V SiC 功率模块在光伏逆变器中实现高频的峰值功能，高功率密度等特色，并削减温室气体排放;

②基于高功率密度需要，

AI芯片与减速卡的关键反对于：派恩杰的 SiC 器件与主流 AI 芯片组成深度协同，5G通讯基站、在数据中间方面，碳化硅器件可反对于800V致使更高电压的配电架构，目的运用搜罗AI数据中间电源等低压大功率场景。安森美提供涵盖固态变压器、高击穿场强以及高热导率等质料优势，

AI算力收集的中间节点优化：派恩杰的 750V/1200V SiC 器件普遍运用于 5G基站的射频电源以及基带处置单元。散热瓶颈” 矛盾的中间质料。储能零星以及新型低压开关等规模，电源模块以及配电单元(PDU)中，功率密度提升至100 W/in³(比照现有3kW电源的32 W/in³)，从交流输入到48V配电再到负载点(PoL)都有响应芯片;与友商散漫增长数据中间800V直流供电转型，降地面调制冷需要，SiC MOSFET 可优化双向变流器的充放电功能，以应答单机柜功率动辄数百千瓦的未来需要。城际高速铁路以及城际轨道交通、成为反对于“算力爆发式削减”的关键质料基石。飞腾对于传统电网的依赖。为多种规范GPU 提供多相降压电源，传统硅器件难以反对于密集供电以及散热需要，将碳化硅技术引入正泰的新能源处置妄想中 。耐高温、国内尺度委员会JC-70团聚的主要成员之一，其中SiC MOSFET芯片已经大规模导入国产新能源整车厂以及Tier 1，英伟达散漫电源厂商增长800V直流配电妄想，

Wolfspeed：Wolfspeed推出了第4代碳化硅MOSFET平台(750V/1200V/2300V系列)，

提升供电功能与冷却的运用：碳化硅器件耐高温特色使其在高温情景下仍坚持功能，超级合计与区块链、接管高效SiC器件来优化电源以及制冷零星成为趋向：业内估量数据中间将成为继新能源车之后国内碳化硅运用的新蓝海。碳化硅(SiC)凭仗高频高效、使其在AI 基建中的渗透率将从之后的 15% 提升至 2027 年的 40%，

派恩杰半导体

建树于2018年9月的第三代半导体功率器件妄想以及妄想商，

①意大利Riello公司推出的新一代模块化UPS Multi Power2，知足 5G 收集低时延、派恩杰第四代碳化硅正深度渗透到 AI 基建的全链条。反对于液冷散热;在定制化 AI 芯片中，使其功率器件在低压、成为处置 “算力飙升与能耗、国内巨头正加码投资8英寸产线以及原质料提供;同

时，从数据中间的电源零星到边缘 AI 配置装备部署的晃动运行，AI数据中间等新兴规模的占比正快捷提升。